絕緣材料的介電常數測試儀廠家，橡膠塑料的介電常數測試儀價格

GBT 1409-2006
ZJD-B數字式介電常數及介質損耗測試儀

 儀器介紹
     ZJD-B全數字顯示介電常數及介質損耗測試儀是根據GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的試驗方法》（等效采用IEC 60250）設計和制造的，并符合JB 7770

等試驗方法。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測試。
    ZJD-B數字式介電常數及介質損耗測試儀讀書清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質量分析,品質控制,科研生產,也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業作科研實驗儀器.
技術參數
信號源頻率范圍    DDS數字合成 10KHz-60MHz    Q測量范圍    1-1000自動/手動量程
信號源頻率覆蓋比    6000:1    Q分辨率    4位有效數,分辨率0.1
信號源頻率精度    3X10 -5 ±1個字,6位有效數    Q測量工作誤差    <5%
電感測量范圍    15nH-8.4H,4位有效數,分辨率0.1nH    調諧電容    主電容30-500PF
電感測量誤差    <5%    調諧電容誤差和分辨率    ±1.5P或<1%
標準測量頻點    全波段任意頻率下均可測試    Q合格預置范圍    5-1000聲光提示
諧振點搜索    自動掃描    Q量程切換    自動/手動
諧振指針    LCD顯示    LCD顯示參數    F,L,C,Q,波段等
 
 絕緣材料的介電常數測試儀廠家，橡膠塑料的介電常數測試儀價格

介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場，在相同的原電場中某一介質中的電容率與真空中的電容率的比值即為相對介電常數(relative permittivity)，又稱相對電容率，以ε_r表示。如果有高介電常數的材料放在電場中，場的強度會在電介質內有可觀的下降。介電常數（又稱電容率），以ε表示，ε=εr*ε0，ε0為真空介電常數，ε0=8.85*10-12,F/m。需要強調的是，一種材料的介電常數值與測試的頻率密切相關。

一個電容板中充入介電常數為ε的物質后電容變大ε倍。

介電常數

電介質有使空間比起實際尺寸變得更大或更小的屬性。例如，當一個電介質材料放在兩個電荷之間，它會減少作用在它們之間的力，就像它們被移遠了一樣。

當電磁波穿過電介質，波的速度被減小，有更短的波長。

根據物質的介電常數可以判別高分子材料的極性大小。通常，介電常數大于3.6的物質為極性物質；介電常數在2.8~3.6范圍內的物質為弱極性物質；介電常數小于2.8為非極

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GBT 1409-2006
ZJD-C介電常數及介質損耗測試儀

儀器介紹
    ZJD-C介電常數及介質損耗測試儀是根據GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的試驗方法》（等效采用IEC 60250）設計和制造的，并符合JB 7770等試驗方法

。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測試。
技術參數
ZJD-C介電常數及介質損耗測試儀作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。 ZJD-C介電常數及介質損耗測試儀采用了多項技術：
1雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。
2雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。
3雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。
4自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
5全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
6DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。
7計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低，** Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。
ZJD-C介電常數及介質損耗測試儀的創新設計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，

測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質，無須關注量程和換算單位。
     主要技術特性
Q 值測量范圍    2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔
固有誤差    ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差    ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍    4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍    1 ～ 200pF
主電容調節范圍    18 ～ 220pF
主電容調節準確度    120pF 以下 ± 1.2pF ； 120pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍    100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ）    100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差    3 × 10 -5 ± 1 個字

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近十年來，半導體工業界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想象的那么快。其主要

低介電常數薄膜機械性質量測結果

原因是許多低介電常數材料并不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。

早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，半導體技術規劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。

造成人們的預計與現實如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數材料必須滿足諸多條件，例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構、高楊氏系數（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合強度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的*的低介電常數材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數與熱傳導系數往往就呈反比關系。因此，低介電常數材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

目前在超大規模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發90nm及其以下技術的研究，先后選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。該材料采用PE-CVD技術[8] ，與現有集成電路生產工藝*融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是目前已經用于集成電路商業化生產為數不多的低介電常數材料之一。

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QS37介電常數及介質損耗測試儀GB/T1693-2007
1.概  述                                                            
     介電常數及介質損耗測試儀GB/T1693-2007?主要用于測量高壓工業絕緣材料的介質損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以，其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成，本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數（ε）。
2.技術指標
2.1  測量范圍及誤差
    本電橋的環境溫度為20±5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足下列表中的技術指示要求。    
在Cn＝100pF    R4＝3183.2    即10K/π時
測量項目    測量范圍    測量誤差
電容量Cx    40pF--20000pF    ±0.5%  Cx±2pF
介質損耗tg    0～1    ±1.5％tgx±0.0001
在Cn＝100pF    R4＝318.3    即1K/π時
測量項目    測量范圍    測量誤差
電容量Cx    4pF--2000pF    ±0.5%  Cx±3pF
介質損耗tg    0～0.1    ±1.5％tgx±0.0001
2.2  電橋測量靈敏度
    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量成正比。
    在下面的計算公式中，用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。
          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   式中：Ｕ為測量電壓    伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                                     
Ｃｎ標準電容器容量    皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10    安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內阻約1500    歐姆
Ｒ４橋臂R4電阻值3183    歐姆
Ｃｘ被測試品電容值    皮法（ｐF）
2.3 電容量及介損顯示精度：    
電容量    ±0.5%×tgδx±0.0001
介  損    ±0.5％tgx±1×10-4
2.4 輔橋的技術特性：    
工作電壓    ±12V，50Hz
輸入阻抗    1012
輸出阻抗    0.6
放大倍數    0.99
不失真跟蹤電壓    0～12V（有效值）
2.5 指另裝置的技術特性：
    工作電壓±12V
    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格
    二次諧波  減不小于25db
    三次諧波  減不小于50db

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"介電常數" 在工具書中的解釋：

1．又稱電容率或相對電容率，表征電介質或絕緣材料電性能的一個重要數據，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質為電介質和真空時的電容的比值，表示電介質在電場中貯存靜電能的相對能力。對于介電材料，介電常數愈大絕緣性愈好。空氣和CS2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值特別大，10℃時為 83.83，與溫度有關。

2．介電常數是物質相對于真空來說增加電容器電容能力的度量。介電常數隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學中，介電常數是溶劑的一個重要性質，它表征溶劑對溶質分子溶劑化以及隔開離子的能力。介電常數大的溶劑，有較大隔開離子的能力，同時也具有較強的溶劑化能力。介電常數用ε表示，一些常用溶劑的介電常數見下表：

"介電常數" 在學術文獻中的解釋：

1．介電常數是指物質保持電荷的能力，損耗因數是指由于物質的分散程度使能量損失的大小。理想的物質的兩項參數值較小

文獻來源

介電常數與頻率變化的關系

2.其介質常數具有復數形式，實數部分稱為介電常數，虛數部分稱為損耗因子.通常用損耗正切值(損耗因子與介電常數之比)來表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強

3．介電常數是指在同一電容器中用某一物質為電介質與該物質在真空中的電容的比值.在高頻線路中信號傳播速度的公式如下：V=K

4.為簡單起見，后面將相對介電常數均稱為介電常數.反射脈沖信號的強度，與界面的波反射系數和透射波的衰減系數有關，主要取決于周圍介質與反射體的電導率和介電常